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行业新闻

SK海力士将量产128层4D闪存NAND闪存芯片

发布日期:2019-07-06 15:40 浏览次数:
       SK海力士宣布,公司已经在全世界率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片,将从今年下半年开始投入量产。
 
       据SK hynix透露,该产品是业界最尖端的128屋堆栈4DNAND,适用超均一垂直植入技术、高信赖多屋薄膜构成技术、超高速低电力线路设计等技术。同时,该产品也是用TLC存储方式打造的NAND中,首次达到1TB容量的产品。
       SK海力士计划从今年下半年开始销售该产品,并推出利用该产品的解决方案产品。首先,SK海力士计划在明年上半年开发下一代移动通信用存储装置UFS 3.1闪存卡产品,供应给主要智能手机客户公司。
 
       此外,SK海力士还精于明年上半年推出普通消费者使用的内置自主控制器和软件2TB容量SSD,用于数据中心的16TB和32TB NVMe SSD也将于明年之内推出。该产品实现业界最多层堆栈、最高容量,将及时提供各种解决方案。
       而就在8个月前,该公司宣布了96屋4D NAND芯片。
 
       这款128屋的1Tb NAND闪存芯片实现了业界最高的垂直堆叠,拥有3600多亿个NAND单元,每个单元在一个芯片上存储3位。为了实现此工艺,SK海力士在自家的4D NAND技术上应用了大量创新技术,包括“超均匀垂直蚀刻技术”、“高可靠性多屋薄膜细胞形成技术”和超快速低功耗电路设计等。
 
        许多存储卡公司已经开发了1Tb QLC NAND产品,但SK海力士是第一个将1Tb TLC NAND商业化的。
        在相同的4D平台和工艺优化下,SK海力士在现有96屋NAND的基础上又增加了32层,使制造工艺总数减少了5%。与以往技术迁移相比,96层向128层NAND过渡的投资成本降低了60%,大大提高了投资效率。
 
        由于该产品采用单芯片四平面架构,数据传输速率在1.2V时可以达到1400mbps,可以支持高性能、低功耗的移动存储卡解决方案以及企业SSD。
 
        海力士也将为客户提供一个能在1毫米薄的封装中,功耗降低20%的移动解决方案。
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