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行业新闻

三星看好数据中心潜力巨大 将加强V-NAND技术

发布日期:2019-10-09 17:28 浏览次数:
        2019年9月19日,中国闪存市场峰会CFMS圆满落幕,本次峰会企业报名超过800家,约65%参会企业来自终端客户,同时峰会现场规模也较去年扩大了30%,是一场闪存与终端的产业盛宴。
三星存储计划部全球副总裁SohnHangu向大家分享了其V-NAND技术发展与创新领域的一些机遇
 
       在本次峰会上三星存储计划部全球副总裁SohnHangu向大家分享了其V-NAND技术发展与创新领域的一些机遇。三星作为NAND Flash主要的供应商,其V-NAND的技术从2013年发布第一代V-NAND到最新的第六代3D NAND技术,每一年都有发布新的V-NAND技术,并且将会持续发展下去,不断推动新技术涌入市场,而最新的第6代128层V-NAND将在2019年大规模量产。
       对于需求市场,三星认为在服务器市场,未来的IOT、无人机、物联网等应用,都将与服务器相连接并产生更多的数据,这会进一步刺激存储需求的增长。SohnHangu表示,中国市场数据与全球增幅相似,增长率超过了43%,服务器目前只有34%的增长,但是在未来会有额外的25%的增长,因为中国有百度、阿里巴巴等互联网企业,会刺激增长,还有像抖音这样的社交媒体,以及视频从4K提升到8K,AI深度学习等新科技,都会刺激需求增长,所以三星看好未来有很大的增长机遇。
三星存储计划部全球副总裁SohnHangu向大家分享了其V-NAND技术发展与创新领域的一些机遇
       另一方面,中国正在加强对智能城市的重视,智能城市已经大量投入建设,将驱动城市服务的兴起,基于大数据的智慧城市,再加上5G技术的发展,将提供比现在超出20倍的数据传输速率,这也意味着三星也要提升技术,才能够更顺畅的实现数据的存储与传输,也许可能需要考虑改变服务器分布和存储构架设计,适应5G时代的需求。
三星存储计划部全球副总裁SohnHangu向大家分享了其V-NAND技术发展与创新领域的一些机遇
        此外,数据中心还要求低延迟,目前三星提供的Z-SSD解决方案,是三星从2015年开始研发的低延迟技术,研发的第二代Z-SSD解决方案,读取延迟会进一步降低,最高容量16TB。在本次峰会的展区,三星展示的是SZ1733 NVMe 2.5" -Z-SSD。三星也将继续发布新的UFS版本,包括提供更高的写入速度的UFS3.0,满足5G的需求。
三星存储计划部全球副总裁SohnHangu向大家分享了其V-NAND技术发展与创新领域的一些机遇
      于此同时,为了应对SSD对顺序读写、随机读写等性能的需求,也可以看到一些新的技术引用到市场,包括在接口上的提升,三星推出的最新的PCIe 4.0 SSD-PM1733,随机读写速度最高达8000MB/s和3800MB/s,相较于PCIe 3.0 SSD-PM1723b性能更好,本次展区中也展示了该款SSD产品。
      SohnHangu表示,中国是率先开始开发5G技术的国家之一,对于中国市场而言,三星在西安建立了新的工厂,将为中国市场、中国消费者提供更好的产品。
三层存储荣获2019闪存峰会“最佳产业贡献奖”
        作为存储行业领导者的三星,一如既往,在2019年上半年贡献了44.3%的DRAM市场份额和32.8%的NAND Flash市场份额,提供了价值高达200多亿美元的存储产品。无论是在技术、产品还是服务上,三星一直都有着优异的表现,我们将“最佳产业贡献奖”授予三星,相信三星在未来将会给我们带来更多的惊喜,进一步推动存储行业的繁荣发展。
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