您好,欢迎访问友林存储卡官网!友林自主生产SD卡、CF卡、MicroSD卡(TF卡)、U盘等闪存卡产品。
0755-25917591

行业新闻

美光第四代3D NAND芯片完成首次流片

发布日期:2019-10-08 16:46 浏览次数:
        据有关消息称,美光科技第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构,美光表示,新一代产品计划于2020年实现量产,但是仅仅会应用在特定领域中。
 
       美光新型替代栅极架构将首次应用在128层产品中,继续沿用CMOS阵列。美光之前的3D NAND闪存芯片采用同英特尔一起研发的浮动栅极结构,新一代的替代栅极结构有望让Die size和成本进一步减小,并可以更容易的转变到下一代3D NAND技术。
美光第四代3D NAND芯片完成首次流片
       美光第四代3D NAND芯片成功流片表明美光公司新型技术不仅仅是一个概念,然而,美光目前并不打算将所有产品线全部推广新型的替代栅极结构,因此,该公司明年每bit的成本不会显著减少,美光对此表示,在2021财年(2020年9月份开始),大规模应用替代栅极结构后,每bit的成本将有效降低。
美光第四代3D NAND芯片完成首次流片
        美光集团CEO Sanjay Mehrotra表示,我们已经成功完成替代栅极架构的3D NAND芯片的首次流片,这一里程碑的进展降低了我们向下一代技术过渡的风险,值得注意的是,我们的首代替代栅极架构将被应用在128层NAND产品上,并被应用到特定的产品线。我们预计,到2021财年,第二代替代栅极架构大规模应用之后,我们每bit的成本才能得到显著降低。
 
        目前,美光公司正在提高96层3D NAND的产能,明年有望大规模应用到全系列产品线。短期内,128层3D NAND产品不会带来成本的大幅度降低,但是随着技术的不断成熟以及应用的不断扩大,每bit的成本将进一步降低。
0755-25917591