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合肥长鑫存储(CXMT)将在今年底开始量产DDR4

发布日期:2019-10-14 17:42 浏览次数:
      中国大陆加速记忆体自主化,继紫光集团大举建立相关势力、预计2021年量产后,投入记忆体研发多年的合肥长鑫存储(CXMT)更抢先紫光一步,将在今年底开始量产DRAM,并大举挖角台湾地区南亚科、华邦电等记忆体厂人才,让台湾记忆体界“红色警戒”再起。
      业界认为,虽然长鑫存储量产初期全球市占仍小,却是中国大陆迈向自主生产DRAM的重要突破,将为南亚科、华邦电等台湾记忆体厂带来新的竞争威胁。
       长鑫存储是先前不断改名的合肥长鑫,曾与福建晋华、长江存储一度号称“中国三大记忆体国家队”。长鑫存储规划,今年底正式量产自主设计的1x奈米 8Gb DDR4 及低功耗(LP)DDR4 DRAM,该公司并宣称是透过采用2009年破产的DRAM厂奇梦达的技术,再重新设计DRAM架构,避开使用美国技术使用,长鑫存储也强调其自主开发技术,将能有效降低技术侵权疑虑。
       据了解,长鑫存储位于合肥的DRAM厂已投资约80亿美元(约新台币2,450亿元),已送样自主设计的 8Gb DDR4 及LPDDR4 DRAM给客户,一旦通过验证,即可在年底进行量产,初期月产能约1万片12吋晶圆,明年可望进一步推升至3万到4万片,将是中国首家量产主流DDR 4产品的DRAM厂,引起全球关注。
        记体业者分析,相较目前全球DRAM厂每月生产130万片12吋晶圆,长鑫存储在全球占比仍极低,也无法撼动目前三星电子、SK Hynix、美光三大厂的市场地位,却是中国大陆迈向自主生产DRAM的一项重大突破。
        外资分析师认为,大陆正式量产DRAM,将会优先以供应内需市场,并切入利基型DRAM,将会对南亚科、华邦电、晶豪、钰创等台厂造成负面冲击。
       长鑫存储即将量产DRAM,凸显美中贸易战让中国体认须建立自主DRAM技术的决心。原本中国大陆三大DRAM战队,除了福建晋华遭美光控告窃取营业秘密及协助技术开发联电研发团队解散而停摆之外,紫光集团也积极冲刺DRAM自主生产,内部计划未来十年投资人民币8,000亿元(逾新台币3.5兆元),全力推动DRAM量产。
       紫光集团已宣布,透过旗下紫光国芯和重庆产业基金合作,计划在重庆设厂,切入DRAM生产,规划2021年量产。紫光旗下长江存储已成功量产64层的3D储存型快闪记忆体(NAND Flash),目前正大力扩编研发大军,未来若完成DRAM量产,将成为中国大陆同时具备DRAM和NAND Flash二项记忆体产品的指标厂。
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