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【存储】技术革新,DRAM量产,市场回转有望

发布日期:2019-10-24 13:41 浏览次数:
        据近日报道,面对存储卡半导体产业市场低迷,三星电子,SK海力士,镁光企图通过新旧时代的产品交替,克服危机。而且也有报道,英特尔就当前以数据为中心进行转型,对内存卡存储战略单元进行布局与规划,且正在有节奏地展开,渐入佳境。
 
我们先来看一下韩厂方面。
        日本对韩国氟化氢等芯片制造关键化学物质发布“限售令”,韩厂普及国有氟化氢,以三星,LG,海力士带头,减少对日产的依赖,并且SK海力士在中国无锡的工厂已使用中国国产氟化氢,完全脱离日产。
        在这之后,传来了SK海力士宣布开发适用第三代 1Z纳米的16GbDDR4 DRAM,并有了新的进展,SK海力士表示,1z nm生产效率比前一代高出27%,且使用过去没有加入的新原料,成功最大化DRAM的静电容量,外界期待,未来1z nm制程将扩大应用在新一代移动DRAM‘LP DDR5’与高速DRAM“HBM3”上。
       三星电子于3月完成了1z DRAM的开发,并从9月开始量产,并有表示年底有望引进紫外光微影技术(EUV)。
镁光也传来好消息
        镁光也在8月宣布量产1z制程的16Gb DDR4 DRAM。镁光认为,提高电脑用DDDR4 DRAM、移动用DRAM(LPDDR4),以及图形用DRAM(GDDR6)技术,对事业有很大的帮助。
        业内人士分析:存储器企业提高技术是相当正面的消息,不论是对于当前低迷的市场,还是未来的存储卡的趋势,提高技术都有机会成为扭转市场的契机。
英特尔也在布局
        作为全球x86 CPU市场的领先者,英特尔在生态上有明显的主动权,且动作较快。截止2019年9月,英特尔在客户端的SSD上已构建了完整布局。
        2017年第七代酷睿处理器开始,英特尔宣布基于3D Xpoint介质的内存产品正式商用,可搭配DRAM内存来为系统加速。
        2018年底,英特尔率先将QLC商业化,推出了基于QLC的大容量SSD 存储660P,单位容量价格突破了1GB 1块钱的线。凭借在功耗以及性能等方面的优势吸引了一些用户,引领大容量SSD时代的到来。
        此外,英特尔还推出了能部分替代内存的傲腾数据中心级持久内存,在诸如Redis这样的开源方案,SAP HANA以及SQL Server这样的商业软件中均表现出特殊价值。目前在数据中心领域,上述两者已经产生许多成功应用案例,在性能,性价比方面都正在吸引越来越多来自不同行业的用户。
       综上所述,存储卡市场虽然持续低迷几周了,价格倒挂现象也很严重,库存紧张的情况也会得到缓解,但这种风气不会持续太久,技术革新,DRAM量产,都在说明市场正在回温,保持观望的同时,记得做好出击的准备。
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