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行业新闻

SK海力士宣布128层1Tb 4D NAND将提前量产,2020年大规模商用!

发布日期:2019-11-21 13:47 浏览次数:
       SK海力士宣布11月份向主要客户交付基于128层1Tb 4D NAND的工程样品,并比预期提前量产。本次SK海力士基于128层1Tb 4D NAND的样品,包括1TB UFS 3.1、2TB 客户端cSSD、16TB 企业级eSSD,计划将于2020年实现在5G手机、PC、企业级市场的商用。
SK hynix 128-layer 1Tb 4D NAND
△ SK hynix 128-layer 1Tb 4D NAND
 
基于SK hynix 128-layer 1Tb 4D NAND的产品线
△ 基于SK hynix 128-layer 1Tb 4D NAND的产品线
       2019年6月,三星和SK海力士率先公开发布128层3D NAND,其中三星基于第六代(1xx层)256Gb TLC V-NAND已批量生产250GB SATA SSD。128层相较于96层3D NAND具有更高的容量,尤其在持续跌价的NAND Flash行情下,将更显成本优势。
 
       SK海力士送样128层4D NAND产品不仅是其重要技术进展,更增强了其在NAND Flash解决方案业务中的竞争力,无疑是给其他竞争对手丢下一颗“炸弹”。除了三星、SK海力士,西部数据/铠侠、美光/英特尔等也研发了128层3D NAND,将正式打开TB级产品普及的战局。
 
满足5G手机需求的1TB UFS 3.1
 
       SK海力士宣布2019年11月向主要的智能手机制造商提供基于128层1Tb TLC NAND的1TB UFS 3.1工程样品。基于SK海力士128层1Tb 4D NAND生产1TB容量,要比采用512Gb所需的Die数量减少一半,可以实现1mm的封装厚度,迎合手机极薄设计的发展趋势。
       2019年三星、华为等打开5G商机,三星更引领手机存储需求向TB容量升级,预计2020年各家手机厂商将以5G手机为主打机型,而5G手机所带来的更多应用,会刺激存储需求进一步提高,SK海力士预计基于128层1Tb 4D NAND生产的1TB容量UFS产品,有望在2020年下半年在智能手机上应用。
 
具有业界低功耗的2TB cSSD
 
       SK海力士2TB cSSD基于128层1Tb TLC NAND,具有1200Mbps的数据传输速率,并搭配了SK海力士控制器,以及硬件自动化技术,支持PCIe 3.0规范协议,适用于要求更高规格的超薄笔记本电脑和游戏PC。
具有业界低功耗的2TB cSSD
         这次交付给客户的2TB容量cSSD样品,功耗从之前96层SSD产品的6W降低到3W,实现了业界最佳的电源效率。经过客户认证后,预计该产品将从2020上半年开始供货给PC制造商使用。
16TB E1.L eSSD,下一代数据中心的新标准规范
         SK海力士基于128层1Tb TLC NAND所推出16TB eSSD,是一种E1.L新规格形态,支持最新的NVMe1.4协议和PCIe接口,搭配SK海力士控制器和固件,顺序读取速度高达3400MB / s,顺序写入速度高达3000MB / s,预计该产品将于2020下半年开始量产,能存储1000多个15GB容量4K UHD电影。
具有业界低功耗的2TB cSSD
       随着5G、人工智能、物联网、车联网等技术的发展,全球数据存储量持续暴涨,SK海力士在PCIe企业SSD的市占份额大增,更预计到2023年,企业级PCIe SSD市场每年将以平均53%的速度增长,所以SK海力士将会集中更多精力在该市场上。
       SK海力士NAND开发战略负责人副总裁HanJoo Na表示,128层1Tb 4D NAND具有业界最高的密度,具有更优的成本竞争力,通过提高128层NAND的生产率和投资,将增强其NAND业务的竞争力。
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