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行业新闻

三星或在平泽2号工厂规模生产128层3D NAND

发布日期:2019-11-25 14:42 浏览次数:
       日前,在举行的Samsung SSD Forum 2019 Tokyo上,三星电子存储器部门产品规划团队高级董事总经理Jinman表示,三星128层第六代V-NAND已实现了512Gb TLC容量的量产,计划于2020年投入市场应用,且正在针对5年内达到500层或更多层的堆栈进行研究。
 
三星V-NAND技术规划
△ 三星V-NAND技术规划
        三星早在6月份就推出了第六代V-NAND(128层256Gb 3D TLC NAND),8月份宣布基于该技术已批量生产250GB SATA SSD,如今实现了第六代128层512Gb TLC 3D NAND的量产,将加快导入到SSD和eUFS的应用。
三星第六代V-NAND技术
△ 三星第六代V-NAND技术
128层3D NAND,三星与SK海力士公开展开竞争
 
       128层3D NAND是96层下一代技术,除了三星,SK海力士也是在6月份宣布推出首款128层TLC 4D NAND,11月份向主要客户交付基于128层1Tb 4D NAND的工程样品,并较预期提前量产,基于该技术将推出1TB UFS 3.1、2TB客户端cSSD、16TB企业级eSSD,计划于2020年实现在5G手机、PC、企业级市场的商用。
SK海力士128层4D NAND
△ SK海力士128层4D NAND
        在128层3D NAND技术上,三星和SK海力士发展的时间进程大体一致,西部数据/铠侠、美光等虽有128层3D NAND技术,但尚未公开发布基于该技术的产品,所以与三星公开展开竞争的是SK海力士。
SK海力士基于128层4D NAND的产品
△ SK海力士基于128层4D NAND的产品
       根据Jinman介绍,三星第六代V-NAND实现的是128层堆叠,1200Mbps的IO速率,量产的是256Gb、512Gb容量。值得注意的是,与SK海力士128层4D NAND量产1Tb相比,就目前而言三星128层量产的256Gb、512Gb在容量上略逊一筹,这是关键的竞争要素,因为将直接影响到产品的成本竞争力。
       不过,三星基于128层3D NAND技术也会量产1Tb,这是毋庸置疑的,只是时间问题而已。
 
两“虎”相争,良率和量产规模备受关注!
 
       当然,产品市场竞争力也不能仅仅从3D层数、容量等角度单一衡量,当今的NAND Flash设计更需要综合考虑层数、存储单元间距、单元厚度、功耗、整体性能、投资效益等诸多因素,还有量产的良率等等,也是市场竞争的要素。
       据悉,三星新建成的平泽2号工厂首先建设的是一条NAND Flash生产线,然后会再投资建设DRAM产线,与平泽一期工厂的规划将大体一致。之前,有报道称三星平泽2号工厂(P2)设备投资减缓,但近期有相关行业人士表示,三星要求平泽2号工厂的设备交货日期不变。三星也在最新季度财报电话会议上表示,计划在2020年运营平泽2号工厂,但尚未确定大规模生产的时间。
 
三星新建成的平泽2号工厂
△ 平泽工厂外貌图
        根据三星目前128层3D NAND技术发展,以及工厂进度规划,预计2020上半年投产的计划不变,且将可能量产的是第六代128层V-NAND。SK海力士128层3D NAND也将在2020年进入投产阶段,新工厂除了已经运营的M15,正在新建的M16工厂将在2020年底完工,这使得业内人士对2020年NAND Flash供应增加表示担忧。
 
        据各原厂技术发展,2020年96层3D NAND才是主流技术,128层3D NAND占比不会太高,而且原厂新工厂是为了3D NAND技术顺利过渡,产出也会视需求而定。至于市场需求,均看好5G手机,物联网、人工智能、车联网等带来的大数据存储需求,对2020 存储产业看法持乐观的态度。
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