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长鑫存储公布新技术路线图

发布日期:2019-12-03 14:45 浏览次数:
       随着中国芯片国产化进程的加快,长鑫存储技术有限公司(CXMT)公布了最新的DRAM技术路线图,不仅将采用19nm工艺生产4Gb和8Gb DDR4,预计到2020年底,其10nm 级工艺技术的产能可达到12万片晶圆,还计划再建两座DRAM 晶圆厂。
长鑫存储公布新技术路线图
       从长鑫存储DRAM技术发展的路线规划来看,其研发的产品线包括DDR4、LPDDR4X、DDR5以及 LPDDR5、GDDR6,虽然未公布具体时间节点,但产品发展线路与三星、SK海力士、美光等国际大厂DRAM发展大体一致。
       全球主要的DRAM厂商三星、SK海力士、美光等目前采用的是1Znm DRAM技术。其中三星在2019年3月宣布将在下半年采用1Znm工艺技术量产8Gb DDR4,生产率提高20%以上;美光也在8月份大规模生产1Znm 16Gb DDR4产品,SK Hynix也采用第三代10nm级(1znm)工艺开发出了16Gbit DDR4。
长鑫存储公布新技术路线图
       目前长鑫存储正在使用其 10G1 技术(19 nm 工艺)来制造 4Gb 和 8Gb DDR4 存储器芯片,目标在 2020 年第一季度将其商业化并投放市场,该技术将用于在 2020下半年制造的LPDDR4X 存储器。虽然在工艺上不及国际DRAM原厂,但差距在一步一步的缩小。
长鑫存储公布新技术路线图
       长鑫存储还规划将采用10G3(17nm工艺)发展DDR4、LPDDR4X、DDR5以及 LPDDR5产品,采用10G5工艺推出DDR5、LPDDR5以及GDDR6产品,该技术是使用 HKMG 和气隙位线技术,并在未来导入使用柱状电容器、全能栅极晶体管以及极紫外光刻(EUV)工艺。
长鑫存储公布新技术路线图
       在DRAM产能方面,长鑫存储目前拥有3000多名员工,下设一座拥有 65000㎡ 洁净室的晶圆厂,目前月产能约为2万片晶圆,将利用10G1技术将月产能提高到4万片晶圆,规划到2020年底,其10nm级工艺技术的晶圆产能将达12 万片(12 英寸),可媲美SK 海力士在中国无锡的工厂。长鑫存储还计划再建两座DRAM晶圆厂。
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