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行业新闻

SK海力士与海太半导体签DRAM封装合作

发布日期:2019-12-04 15:14 浏览次数:
         据无锡市高新区官网消息,日前SK海力士与海太半导体在无锡举行三期合作意向签约仪式,此次签约标志着双方将在DRAM封装领域继续保持稳固的战略合作伙伴关系,加强优势互补,促进互利共赢。
无锡市高新区官网,签约仪式现场
        据企查查信息,海太半导体是由无锡市太极实业股份有限公司和韩国SK海力士合资成立,注册资本1.75亿美元,两家分别持股55%和45%,经营范围包括半导体产品的探针测试、封装、封装测试、模块装配和模块测试等。
 
将扩大中国市场供货,海太半导体已通过SK海力士最新DDR4量产认证
 
       无锡工厂是SK海力士DRAM重要生产基地,SK海力士自2004年在无锡投资以来,经过十五年的发展,历经5期重大投资建设。2019年4月18日,SK海力士半导体(中国)无锡工厂扩建(C2F)竣工,总投资86亿美元,其中16亿美元用于新建33000平米洁净厂房及其附属配套设施,70亿美元用于购买全球最先进的半导体生产设备。
       在无锡工厂扩建的(C2F)竣工前,SK海力士无锡厂DRAM每月产能高达13万片晶圆,占据SK海力士公司近一半产能,占全球产能约15%。C2F项目建成后,SK海力士无锡C2F工厂将形成月产18万片12英寸晶圆的产能,合计无锡工厂未来的DRAM满载月产能至少30万片以上。
 
SK海力士第三代10nm级(1znm)DRAM产品
 
        在DRAM技术上,SK海力士于2019年10月宣布采用第三代10nm级(1znm)工艺开发出16Gbit DDR4。不仅在单个芯片上实现16Gb容量,也是目前DRAM产品中容量最大,而且与第二代(1ynm)产品相比,生产率提高了约27%,2019年底前将做好批量生产的准备,计划2020年开始全面供应,积极响应市场需求。
 
       海太半导体与SK海力士的合作关系已经持续了十年,从2009年成立至今,双方建立了良好的合作关系。海太半导体通过产品结构优化,产线技术升级等多项措施,占据全球DRAM封装测试产能的10%-15%,最新技术已可以对16nm级晶圆进行封装。
 
       于此同时,为了应对SK海力士DRAM的扩产规模,海太半导体已通过了韩国SK海力士FAB工厂与无锡FAB工厂第三代DDR4产品的批量量产认证,为SK海力士大规模投产提前准备。海太半导体自主研发的模组制造工厂自动化IC(集成芯片)仓储系统也投入了使用,并受到了SK海力士P&T(中韩封装&测试工厂)部门的肯定,并可望推广至SK海力士及其他工厂。
 
中国市场竞争加剧,SK海力士强化竞争力
 
        随着中国芯片国产化进程的加速,以及中国5G手机将在2020年快速增长,将在一定程度上激化国际DRAM原厂对中国市场加快布局的步伐。
        近2年,NAND Flash和DRAM不仅市场供过于求,价格也是持续下滑,导致企业利润下滑或亏损。随着市场库存去化速度加快,SK海力士客户端的服务器DRAM库存从2018年底8~9周逐渐减少到2019年第2季尾声的约6周水平,第三季度DRAM库存下降至5周,预计存储行业下滑的趋势将很快结束,并有望进入新一轮上升期。
        同样作为DRAM重要厂商的美光,预计到2020年DRAM行业的需求增长率将达15%-20%,行业供应增长率只有15%,NAND产业bit需求增长将在25%-30%,供应增长也会略低于需求,市况正在逐渐改善。 
        业内人士认为,DRAM库存消耗已到了健康水位,而三星、美光、SK海力士等资本开支又比较保守,2020年在5G手机、人工智能、物联网等应用推升存储需求下,尤其是5G手机和电脑的搭载容量不断增加,产业将向积极乐观的趋势发展,DRAM市况将有所好转,价格将最快在Q1反弹。
        此次签约,SK海力士一方面是与海太半导体在DRAM封装领域继续保持稳固的战略合作伙伴关系,另一方面将会扩大在中国市场的DRAM产能供应,满足中国5G手机、PC、服务器等客户需求,搭上产业新一轮上行的“顺风车”,促进企业间的互利共赢。
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