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存储芯片市场回温 铠侠开发新型闪存

发布日期:2019-12-28 12:28 浏览次数:
       本周某大机构发布了2020-2024年全球晶圆产能报告。报告指出,通常IC行业通过增加晶圆产能来满足其大部分需求,而不是通过增加每个晶圆上切分的数量。
       由于市场低迷以及产能的过剩,2019年全球晶圆厂平均产能利用率从2018年的94%下降至86%,2019年存储芯片价格也一路走跌,因此,许多存储芯片厂暂缓了产能扩充计划。
       但由于计划仅被推迟而未被取消,且近期DRAM及NAND Flash市况回温,部分存储芯片厂重启产能扩充计划,预计2020年及2021年全球新增晶圆产能将大幅增加,进入高速扩张期。
       预测数据显示,2020年,每年可增加多达1790万片晶圆(相当于200毫米当量),到2021年有望再增加2080万个,创下历史新高。
       新增产能主要来自于韩国三星、SK海力士等,以及长江储存、武汉新芯、华虹宏力等中国大陆半导体厂。
       整体来看,在过去五年(2014-2019)间,年平均产能增长率仅为5.1%。而2019-2024年间,预计IC产业产能的年增长率将略微提高至5.9%。
       本周铠侠宣布开发出创新的储存单元结构“Twin BiCS FLASH”。该结构将传统3D闪存中圆形存储单元的栅电极分割为半圆形来缩小单元尺寸以实现高集成化。
       新的单元的设计中采用浮栅电荷存储层(Floating Gate)代替电荷陷阱型电荷存储层(Charge Trap),尺寸也比传统的圆形单元更小。铠侠已率先在此单元设计中实现了高写入斜率和宽写入/擦除窗口。同时,铠侠也证明这种新的单元结构可应用于进一步提高容量的超多值存储单元中。铠侠于12月11日(当地时间)在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上发表了上述成果。
       铠侠表示,诸如BiCS FLASH之类的3D闪存通过增加单元的堆栈层数以实现大容量。但是,随着单元的堆栈层数超过100层,高纵宽比的加工越来越困难。为了解决这一问题,铠侠在新的单元结构中将常规圆形单元的栅电极分割为半圆形以减小单元尺寸,并且可以通过较少的单元堆叠层数实现更高的位密度。
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