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长鑫存储重磅发布核心DRAM内存,首款国产DDR4内存正式开卖

发布日期:2020-02-27 09:59 浏览次数:
       2月25日,合肥长鑫存储官网正式公布“首颗国产DDR4内存芯片”,同时搭载该芯片的DDR4模组也正式曝光,并都符合国际通行标准规范。
       据介绍,长鑫DDR4内存芯片可匹配主流市场需求,支持多领域应用、多产品组合,并有充分的可靠性保障,规格方面单颗容量8Gb(1GB),频率2666MHz,电压1.2V,工作温度0℃至95℃,78ball、96ball FBGA两种封装样式。
      2月25日,合肥长鑫存储官网正式公布“首颗国产DDR4内存芯片”,同时搭载该芯片的DDR4模组也正式曝光,并都符合国际通行标准规范。
      据介绍,长鑫DDR4内存芯片可匹配主流市场需求,支持多领域应用、多产品组合,并有充分的可靠性保障,规格方面单颗容量8Gb(1GB),频率2666MHz,电压1.2V,工作温度0℃至95℃,78ball、96ball FBGA两种封装样式。
长鑫存储DRAM内存芯片
        长鑫特别强调,这是第一颗国产的DDR4内存芯片。
        根据此前消息,这些芯片都采用国产第一代10nm级工艺制造,预计到2020年底月产能可达4万片晶圆。
        DDR4内存条也是长鑫自主开发设计,搭载原厂颗粒,种类齐全,提供UDIMM桌面型、SO-DIMM笔记本型,容量均为单条8GB,频率2666MHz,电压1.2V,工作温度0℃至95℃。
        LPDDR4X内存芯片号称匹配主流需求,兼备高速度与低功耗,可提供超高续航能力、超低功耗设计、稳定流畅体验,规格方面单颗容量2GB、4GB,频率3733MHz,电压1.8V、1.1V、0.6V,工作温度-30℃至85℃,200ball FBGA封装。
长鑫存储DRAM内存参数
       目前,长鑫已开始接受上述产品的技术和销售咨询,相信它们很快就会出现在市面上。
       长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动,总投资1500亿元,专业从事DRAM内存的研发、生产和销售,目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产,并通过专用研发线快速迭代研发,结合当前先进设备大幅度改进工艺,开发出了独有的技术体系。
长鑫存储DRAM系列产品
        就在去年底,长鑫存储从Polaris获得了大量DRAM技术专利的实施许可,而这些专利来自Polaris 2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。

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