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三星电子宣布已经开始批量生产用于智能手机的512GB eUFS 3.1

发布日期:2020-03-18 10:16 浏览次数:
       三星电子宣布已经开始批量生产用于智能手机的512GB eUFS 3.1,其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍,打破了智能手机存储中1GB/s的阈值。除了512GB选项外,三星还将于今年晚些时候推出256GB和128GB容量。
三星电子公司LOGO
        三星电子存储器销售与市场营销执行副总裁Cheol Choi表示,随着开始批量生产最快速度的移动存储,智能手机用户将不再担心传统存储卡所面临的瓶颈,新的eUFS 3.1反映了我们对支持全球智能手机制造商迅速增长的需求的持续承诺。
三星电子智能手机512GB eUFS 3.1
       三星eUFS 3.1连续写入速度超过1,200MB/s,是基于SATA SSD (540MB/s)的两倍以上,是UHS-I microSD卡(90MB/s)的十倍以上。这意味着在没有任何缓冲的情况下,将8K视频或数百张大尺寸照片等海量文件存储在智能手机中时,消费者可以享受和超薄笔记本一样的速度。配备新款eUFS 3.1的智能手机仅需1.5分钟即可移动100GB数据,而基于UFS 3.0的电话则需要4分钟以上。
        就随机性能而言,512GB eUFS 3.1的处理速度比UFS 3.0版本快60%,每秒可提供100,000 IOPS,而写入则可提供70,000 IOPS。
三星电子智能手机512GB eUFS 3.1
         目前,除三星之外,西部数据和Kioxia也相继在2020年推出UFS 3.1相关产品。其中西部数据iNAND MC EU521采用主流的96层3D NAND,并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存,可提供最高800MB/s的顺序写入速度,较三星UFS3.1产品1200MB/s的连续写入速度,相差约30%,且容量选择仅提供128GB和256GB。Kioxia UFS 3.1产品的容量选择较前两者均丰富,在128GB,256GB,512GB之外,还提供1TB容量选择,性能方面虽没有具体数值,但表示写速是UFS 3.0的2~3倍,连续读速比UFS 3.0提升30%。
         此外,三星表示,将在本月开始在西安二期产线量产第五代V-NAND,以完全满足旗舰和高端智能手机市场的存储需求,并计划将平泽P1产线由第五代V-NAND更新为第六代V-NAND。
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