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行业新闻

SK海力士投资千万美金建实验室,未来半导体制造工厂将发生大变化

发布日期:2020-09-23 14:12 浏览次数:
       SK海力士宣布投资5500万美元成立高斯实验室,全球知名的数据科学家Young-Han Kim将担任高斯实验室的首席执行官,将通过工业AI解决方案实现制造的创新。
       据悉,高斯实验室(Gauss Labs)总部建立在美国硅谷,将于本月晚些时候开始在韩国设立办事处。到2022年,SK海力士仍是高斯实验室唯一的投资者,这也暗示着未来可能有其他的合作企业加入。
       作为NAND Flash和DRAM主要供应商,SK海力士在先进的技术上必须要保持领先的地位,然而随着DRAM向1Znm技术之后发展,以及3D NAND技术的堆叠层数迈入100层+,研发的投入也在不断增加。
       SK海力士建立的高斯实验室,将致力于AI技术的创新,未来将通过大量的数据来革新传统的半导体制造与生产,包括产线控制、成品率预测、设备维护、故障检查和预防等,推动制造工厂向智能化发展,并有效提高效率和降低成本。
DRAM进入1Znm后时代,EUV造价不菲,投入资金将大增
       在DRAM方面,目前三星、SK海力士、美光DRAM技术已进入到第三代10nm(1znm)技术阶段,三星更率先在该工艺节点导入EUV工艺。SK海力士则计划在第四代10nm级(1anm)DRAM中应用EUV工艺,而新建的M16工厂也在建设EUV产线,预估2021年初可开始量产。
       ASML是全球唯一一家能制造EUV光刻机的公司,该公司在2019年共计出货了26台EUV光刻机,较2018年的18台明显增长,预计2020年交付35台EUV光刻机。但是每台EUV设备超过10 万个零件,重量可高达180吨,每次运输必要动用40个货柜、20辆卡车等复杂的运输,每部EUV设备造价超过1亿美元,这给企业也增加了运营成本。
NAND Flash市场竞争激烈,且新技术升级难度增加,提高获利迫在眉睫
       相较于三星、SK海力士、美光三家独大的DRAM局面,NAND Flash市场的竞争者较多,包括三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士五家企业。同时,随着3D NAND堆叠层数向100层以上发展,技术提升所面临的挑战也将进一步增加。
       SK海力士已量产128层堆叠的4D NAND闪存芯片,并已发布了首款消费类SSD,正在积极的导入到企业级SSD中应用。同时,SK海力士也正进行下一代176层3D NAND的研发。
       目前,SK海力士在DRAM市场全球排名第二,在NAND Flash市场却是排名第五,但随着市场竞争的加剧,各家原厂纷纷大手笔投入资金建厂的同时,也在不断在技术上巨额投资,使得企业在获利上变得更加艰难。
        在存储这个资本密集型的行业中,企业稳定的获利至关重要。SK海力士建立的高斯实验室有望将AI技术应用到制造工厂中,通过对产线控制、成品率预测、设备维护、故障检查和预防等方面的优化,将在一定程度上提高产能和效率,从而达到降低成本的目的,获利能力也将有所提高。 
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