美光宣布第九代NAND闪存技术量产

美光科技当地时间7月30日宣布其采用第九代（G9）TLC NAND技术的 SSD 产品已开始出货，成为业界首家实现这一里程碑的厂商之一。美光 G9 NAND 技术具备高达 3.6 GB/s 的数据传输速率，提供卓越的数据读写带宽。该项 NAND 新技术为人工智能（AI）及其他数据密集型应用场景带来出色的性能，适用于个人设备、边缘服务器、企业和云数据中心。

美光 G9 NAND 技术凭借卓越的 NAND 输入/输出（I/O）速率，可满足数据密集型工作负载的高吞吐需求，其数据传输速率比当前 SSD 中的 NAND 技术要快 50%。[同时，与市场上现有的同类 NAND 解决方案相比，美光 G9 NAND 的每颗芯片写入带宽和读取带宽分别高出 99% 和 88%。这些优势共同提升了 SSD 和嵌入式 NAND 解决方案的性能与能效。

与前一代 NAND 产品相同，美光 G9 NAND 采用 11.5mm x 13.5mm 的紧凑封装，比同类产品节省 28% 的空间，是卓越的小尺寸、高密度 NAND。在更小的尺寸内实现更高的密度，从而最大限度地增加了各种用例的设计选择。

美光执行副总裁暨首席商务官 Sumit Sadana 表示：“美光已经连续第三代引领业界，推出创新、领先的 NAND 技术。集成美光G9 NAND 的产品将具备显著的性能优势，该技术将成为存储创新的基础，为所有终端市场的客户带来价值。”